天合元氢卞铁铮：提升制氢系统小时数可以大幅降低制氢成本

至今仍有大量以北欧神话体系为基础的著作，天合统几乎都是如雷贯耳的大作：天合统魔戒三部曲几乎是北欧神话的一个翻版，此外还有哈利波特，游戏中的魔兽，暗黑破坏神，甚至漫威宇宙中都有北欧神话的影子。

在Pt/CoP表面，元氢H*优先吸附在Pt上，ΔGH值分别为−0.20eV(位1)、−0.06eV(位2)和−0.36eV(位3)，这表明在Pt和CoP(位3)界面有明显的质子捕获。然而，卞铁由于在3号位(ΔGH=−0.36eV)处有很强的氢捕获，这样的溢出过程在界面上受到了阻碍。

铮提  图文分析图1| HSBB催化剂中界面电子构型和氢溢出现象的示意图。图4|在0.5MH2SO4中，升制时数金属负载量为1.0wt%的PTM/COP催化剂的催化性能评价。氢系图5|不同PtM/CoP模型催化剂及其ΔΦ的本征HER活性相关性。

另一方面，大幅一系列ΔΦ可调的PtIr/CoP催化剂表现出较强的ΔΦ依赖性，其中ΔΦ=0.02eV的PtIR/CoP催化剂具有最好的HER性能。根据上述分析，降低如果金属或载体的ΔΦ是可裁剪的，那么小型ΔΦ有望实现有效的氢溢出。

如果H能跨过Pt团簇的边缘转移到CoP表面，制氢则无论是质子的初始吸附还是H2的最终脱附，HER都很容易进行。

透射电子显微镜(TEM)图像(图3b)证实了PTIR合金金属纳米颗粒在CoP纳米片上分布均匀，成本尺寸约为1.60nm。值得注意的是，天合统在PbI2前驱体溶液中加入一维多晶δ-RbPbI3和δ-CsPbI3的混合物，可诱导形成多孔介孔六方膜。

研究表明，元氢在光电器件中，石墨烯可以作为一种屏障，通过化学蚀刻来减少透明电极的降解。这一阻挡层降低了这些金属物种所引起的发光猝灭，卞铁因此在ITO和石墨烯层的器件中钙钛矿薄膜的光致发光寿命(87.9ns)明显高于只有ITO阳极的器件(22.1ns)。

DOI: 10.1021/acsami.0c12939图10原始透明导电氧化物及带有石墨烯的透明导电材料的稳定性文中所述如有不妥之处，铮提欢迎评论区留言~本文由Junas供稿。DOI:10.1002/adfm.202011270图6 a)DNTT、升制时数C10-DNTT、DPh-DNTT的分子结构。